Double-gate W-doped amorphous indium oxide transistors for monolithic 3D capacitorless gain cell eDRAM

H. Ye*, J. Gomez, W. Chakraborty, S. Spetalnick, S. Dutta, K. Ni, A. Raychowdhury, S. Datta

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Contribución a la conferencia › revisión exhaustiva

41 Citas (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Double-gate W-doped amorphous indium oxide transistors for monolithic 3D capacitorless gain cell eDRAM'. En conjunto forman una huella única.

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