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Characterization and Modeling of 22 nm FDSOI Cryogenic RF CMOS
Wriddhi Chakraborty
*
, Khandker Akif Aabrar
,
Jorge Gomez
, Rakshith Saligram
, Arijit Raychowdhury
, Patrick Fay
, Suman Datta
*
Autor correspondiente de este trabajo
Producción científica
:
Contribución a una revista
›
Artículo
›
revisión exhaustiva
34
Citas (Scopus)
Información general
Huella
Huella
Profundice en los temas de investigación de 'Characterization and Modeling of 22 nm FDSOI Cryogenic RF CMOS'. En conjunto forman una huella única.
Clasificar por
Ponderación
Alfabéticamente
Keyphrases
FDSOI
100%
RF CMOS
100%
NMOS
66%
PMOS
66%
Temperature Effect
33%
RF Performance
33%
Transistor
33%
Mixed-signal
33%
Small-signal Model
33%
Fmax
33%
Gigas
33%
Maximum Oscillation Frequency
33%
Cryo
33%
Gain-bandwidth Product
33%
Operating Temperature
33%
Current Gain Cutoff Frequency
33%
Gate Length
33%
Interface Circuit
33%
Invariant Component
33%
Ultra High Gain
33%
CMOS Circuits
33%
Cryogenic CMOS (Cryo-CMOS)
33%
Design Space Exploration
33%
RF Circuits
33%
Single-flux-quantum Logic
33%
Quantum Processor
33%
Decoherence Time
33%
Qubit
33%
Dynamic Random Access Memory
33%
Integration Density
33%
Analog Performance
33%
Memory Circuits
33%
Performance Benchmarking
33%
Cryogenic Temperature
33%
Temperature Invariant
33%
Physics
Quantum Dot
100%
Cryogenic Temperature
100%
Space Exploration
100%
Quantum Logic
100%
Operating Temperature
100%
Engineering
Silicon on Insulator
100%
Cutoff Frequency
33%
Field Effect Transistor
33%
Current Gain
33%
Interface Circuit
33%
Operating Temperature
33%
Gain-Bandwidth Product
33%
Gate Length
33%
Dynamic Random Access Memory
33%
Qubit
33%
Design Space
33%
Cryogenic Temperature
33%
Material Science
Silicon
100%
Electronic Circuit
100%
Density
25%
Field Effect Transistor
25%
Transistor
25%